发布日期：2024-08-30 01:30    点击次数：106

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起原：骨子编译自skhynix，谢谢。

SK海力士当天文牍，公共初次得胜开导出秉承第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向天下展现了10纳米露面的超轻浅化存储工艺本领。

SK海力士强调：“跟着10纳米级DRAM本领的代代相传，轻浅工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到招供的第五代（1b）本领力为基础，擢升了筹算完成度，领先冲破了本领极限。公司将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从来岁开动供应居品，引颈半导体存储器市集发展。”

公司以1b DRAM平台扩张的花式开导了1c工艺。SK海力士本领团队以为，由此不仅不错减少工艺高度化经过中可能发生的尝试缺陷，还不错最灵验地将业界内以最高性能DRAM受到招供的SK海力士1b工艺上风滚动到1c工艺。

况且，SK海力士在部分EUV工艺中开导并适用了新材料，也在统统这个词工艺中针对EUV适用工艺进行了优化，由此确保了本钱竞争力。与此同期，在1c工艺上也进行了筹算本领雠校，与前一代1b工艺比拟，其出产率擢升了30%以上。

这次1c DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，其运行速率为8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代比拟速率擢升了11%。另外，能效也擢升了9%以上。跟着AI时期的到来，数据中心的耗电量在赓续增多，要是运营云处事的公共客户将SK海力士1c DRAM秉承到数据中心，公司预测其电费最高能减少30%。

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SK海力士DRAM开导担当副社长金锺焕暗示：“1c工艺本领兼备着最高性能和本钱竞争力，公司将其欺诈于新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等起先进DRAM主力居品群，由此为客户提供区分化的价值。今后公司也将信守DRAM市集的指导力，安然最受客户信托的AI用存储器科罚决策企业的地位。”

跳动三星

业内东说念主士早在4月8日表示，SK海力士已制定里面道路图，谋划在第三季度内获取客户认证并开动量产10纳米级第六代DRAM。当今业界跳动的DRAM居品双倍数据速率（DDR）5 16Gb（千兆位），瞻望将认真获取与英特尔处事器平台的兼容性认证。

一朝 SK 海力士的 DRAM 获取英特尔 CPU 使用认证，它很快就会看到运营数据中心的大型科技公司的需求激增。英特尔与 AMD 共同主导着公共处事器 CPU 市集，占据着 70-80% 的市集份额。业内巨匠预测，由于 DDR5 是一种商品，各公司齐在提前作念好准备，瞻望在获取英特尔认证后将马上开动向亚马逊和微软等大客户销售。

SK海力士旧年1月，10纳米级第四代（1a）DDR5处事器具DRAM获取英特尔认证，创下公共首例；5月，10纳米级第五代（1b）DDR5再次创下公共首例，参加英特尔数据中心兼容性考证阶段。当今，SK海力士正加速措施，力图凭借行将于第三季度推出的第六代（1c）居品再创“公共首例”。

对比两家公司公开的道路图，SK海力士10纳米级第六代DRAM量产时期表跳动于三星电子。三星谋划于本年12月通过客户认证并开动量产。上个月，在好意思国硅谷举行的MemCon 2024公共半导体会议上，三星公布了其下一代DRAM的开导道路图，文牍谋划在本年年底前量产第六代10纳米级DRAM。

10nm级第六代居品将秉承顶端的极紫外（EUV）光刻工艺，与之前的第五代10nm级居品比拟，可达成更高的净芯片数目（Net Die，即每个晶圆可出产的芯片数目）并擢升功率效果。

三星电子还谋划在本年 12 月之前获取客户认证并进行量产，正如最近在硅谷举行的 MemCon 2024 会议上所表示的那样，该公司在会上败露了其在年底前出产第六代 10 纳米级 DRAM 的谋划。

第六代 10 纳米级 DRAM 代表了当今最高端的第五代 10 纳米级居品的下一代。两种工艺均秉承了先进的 EUV 光刻本领，但第六代工艺将用于更多电路，从而达成比第五代工艺更高的净芯片良率和更高的功率效果。

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